CrO共掺杂对GaN电子结构和光学性质的影响

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bbxxxb

【摘要】

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利用第一性原理方法研究了O、Cr和CrO共掺杂对宽禁带半导体材料GaN的结构、能带和光学性质的影响.结果表明CrO共掺的方法可以在原GaN晶体中产生中间能带,CrO共掺的方法较单个

【作者】

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柯福顺付相宇段国玉吴松王松有陈良尧贾瑜

【机构】

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复旦大学光科学与工程系,鹤壁职业技术学院,郑州大学物理工程学院

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2011年3期

【关键词】

：

第3代太阳能电池 GAN 第一性原理共掺杂 third-generation solar cell GaN first-principle co-doping

【基金项目】

：

复旦大学大学生学术资助计划“曦源项目”（081002）, 国家重点基础研究发展计划（2010CB933703）

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利用第一性原理方法研究了O、Cr和CrO共掺杂对宽禁带半导体材料GaN的结构、能带和光学性质的影响.结果表明CrO共掺的方法可以在原GaN晶体中产生中间能带,CrO共掺的方法较单个氧原子掺杂可以降低材料的形成能.中间能带的出现实现了材料对低能光子的吸收,增强了其对太阳光谱中红外波段的能量利用,从理论上预言CrO共掺GaN作为第3代太阳能电池的半导体材料的可行性.

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