In^3＋离子在多孔SiO2干凝胶中的发光

来源 :硅酸盐通报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：meng8500

【摘要】

：

采用常规的Sol-gel工艺合成了In3+掺杂的多孔SiO2干凝胶,In3+离子作为间隙离子存在于SiO2网络中,展示了一种新颖的发光现象,改变了多孔SiO2干凝胶的发射光谱.这种掺杂的多孔S

【作者】

：

王英姿杨中喜王建荣杨萍

【机构】

：

济南大学材料科学与工程学院,山东大学晶体材料研究所

【出处】

：

硅酸盐通报

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

In^3+离子多孔SiO2干凝胶 SOL-GEL 掺杂光致发光二氧化硅 sol-gelsilica xerogelIn3+-dopedphotolumin

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采用常规的Sol-gel工艺合成了In3+掺杂的多孔SiO2干凝胶,In3+离子作为间隙离子存在于SiO2网络中,展示了一种新颖的发光现象,改变了多孔SiO2干凝胶的发射光谱.这种掺杂的多孔SiO2干凝胶的激发和发射光谱均由2个带组成,短波长的发光峰在440nm(λex＝380nm),其相对荧光强度约是未掺杂的多孔SiO2干凝胶的4倍;长波长的发光峰(In3+离子在多孔SiO2干凝胶的特征发射)在600nm(λex＝476nm),其相对荧光强度约是In3+掺杂ZnS纳米晶的10倍.由此可以看出:掺杂的多孔

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