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为了应对低功耗电路设计要求,提出了一个在低功耗要求下CMOS低噪声放大器的设计方法。使用该方法在0.18μm CMOS集成工艺下,设计一款低噪声放大器,并在ADS中进行前仿真。
低功耗LNA设计
【摘 要】
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为了应对低功耗电路设计要求,提出了一个在低功耗要求下CMOS低噪声放大器的设计方法。使用该方法在0.18μm CMOS集成工艺下,设计一款低噪声放大器,并在ADS中进行前仿真。
【机 构】
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中科芯集成电路股份有限公司
【出 处】
：
电子产品世界
【发表日期】
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2012年12期
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