短沟道AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的Ⅰ-Ⅴ特性研究

来源 :淮阴师范学院学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fanjun6699
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考虑栅电压、漏电压和沟长调制效应影响下,在长沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的Ⅰ-Ⅴ输出特性基础上,引入有效迁移率和有效沟道长度,推导了短沟道AlGaN/GaN HEMT的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)输出特性模型.通过比较栅长为105nm时模型计算结果与实际器件的输出特性,表明推导的短沟道AlGaN/GaN HEMT的Ⅰ-Ⅴ模型与实验结果基本相符,误差小于5%.
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