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铜铁矿材料(CuMO2)性能优良,是具有本征p型半导体特性的透明导电氧化物,且有2H和3R两种结构。为研究2H-CuGaO2的结构和性能,基于密度泛函理论(DFT)框架下的平面波超软赝势法,计算了压力作用下2H-CuGaO2的晶体结构、弹性性质和电子结构。研究发现:1)压力增加能够导致2H-CuGaO2晶胞的收缩;2)在0~30GPa压力范围内,2H-CuGaO2是延展性材料;3)当压力为20.83GPa时,2H-CuGaO2变得不稳定;4)2H-CuGaO2是间接跃迁带隙半导体,价带主要由Cu的3d态及