【摘 要】
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设计了工作在8GHz的基于AlGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片
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设计了工作在8GHz的基于AlGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片上RC有损网络.在8GHz测出连续波1dB压缩点时的输出功率为P1dB=43dBm(20W),线性增益7.3dB,最大PAE为38.1%,合成效率达到70.6%.
An AlGaN / GaN HEMTs-based internal matched power amplifier is designed to work at 8GHz.The input and output matching circuits are fabricated on a 0.381mm thick alumina ceramic substrate. In order to increase the stability factor K of the whole circuit, The on-chip RC lossy network has an output power of P1dB = 43dBm (20W), a linear gain of 7.3dB, a maximum PAE of 38.1% and a combined efficiency of 70.6% at 8GHz.
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