论文部分内容阅读
1996年IEEE GaAsIC国际会议简介
【机 构】
：
南京电子器件研究所!210016
【出 处】
：
固体电子学研究与进展
【发表日期】
：
1997年2期
其他文献
采用静电喷雾高温分解工艺制备ＳｎＯ２气敏膜，并与Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２集成多层介质膜，用催化金属Ｐｔ作栅电极，制成新型的ＭＳＩＳ结构气敏电容。通过检测平带电压的变化，研究对Ｈ２和Ｏ２的气敏特性，分析其气敏机理并提出了检测
报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ）。在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提
随着抗生素及皮质激素的广泛应用，鼻腔、鼻窦真菌病日趋增多，鼻内镜的开展以及CT、MRI影像技术的进步，使真菌病的诊断率不断提高。笔者搜集本院2000～2004年本院经手术病理证实的3
异位妊娠是妇产科的常见病，近年来发病率逐年上升。重复异位妊娠日渐增多，对妇女的身心造成极大伤害。本文就我院4年来收治的36例重复异位妊娠病例进行回顾性分析。
感染性休克的病死率很高，80年代中期之前，成年人感染性休克的病死率在50%以上。随着医疗水平的不断提高，病死率降至40%左右。本院在1999年1月至2004年10月期间共收治的30例感染
目的探讨不同后腹膜腔隙扩张法腹腔镜技术在泌尿外科手术中的应用。方法对2001年至今开展的共120例后腹腔镜泌尿外科手术进行分析，本组患者全部采用曲卡直接穿刺法建立通道，后
利用缓变沟道近似（ＧＣＡ）及准二维分析，提出了在７７－－２９５Ｋ温区工作的ＮＭＯＳＦＥＴ的解析模型。建模中不仅考虑迁移率蜕变（电场引起）、载流子速度饱和及沟道调制效应，而且计入温度相关参数的温度特性。模拟结果
分析研究了不同偏置辐照和退火条件下，Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的漏电流变化特性。结果表明，ＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的栅偏压关系；注Ｆ ＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流增长小于未
贵州省盘县水洞村是中共中央政策研究室、农业部确定的农村固定观察点之一。2016年，按照全国、省农村固定观察点办公室的要求，在盘县农业局的直接领导下，通过全体调查员、记账员
随着我国制造业的进一步发展,二维设计已经不能满足企业的要求,三维软件PDMS的特点及在锅炉设计中的应用。