PIA-EB-Hf法制备的单层HfO2激光薄膜残余应力及化学计量比的调控

来源 :真空科学与技术学报 | 被引量 : 1次 | 上传用户：laumingka

【摘要】

：

Hf O_2作为最有前景的抗激光薄膜材料之一,最佳的制备方法是利用等离子体辅助电子束蒸发金属Hf并充氧进行反应沉积即PIA-EB-Hf法,而化学计量比失配导致的强吸收和高残余应力造成的力损伤成为其主要的激光损伤机制。采用正交优化手段,探究了沉积速率、APS离子源偏压和放电电流、沉积温度、以及充氧量和充氧位置对薄膜残余应力和O/Hf配比的影响,并针对优化薄膜进行了激光损伤性能研究。研究表明速率太大导

【作者】

：

付朝丽杨勇马云峰黄政仁焦正

【机构】

：

上海大学环境化学与工程学院上海200444中国科学院上海硅酸盐研究所结构陶瓷工程中心上海201800;中国科学院上海硅酸盐研究所结构陶瓷工程中心上海201800;上海大学环境化学与工程学院上海

【出处】

：

真空科学与技术学报

【发表日期】

：

2015年35期

【关键词】

：

氧化铪等离子体辅助电子束蒸发激光损伤残余应力化学计量比

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