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在恒定直流偏置电压下,在稍长的时间t以后,等离子体阳极氧化锗膜的生长遵从抛物线规律X_t~2-X_v~2=kt,并由离子迁移理论推导出氧化速率常数k.由于电场增强输运,等离子体阳极氧化锗膜的生长速率比热氧化高得多.经等离子体氮化之后,Ge-O-N膜具有优良的抗湿性能。
等离子体氧化锗膜的生长动力学及氮化改性
【摘 要】
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在恒定直流偏置电压下,在稍长的时间t以后,等离子体阳极氧化锗膜的生长遵从抛物线规律X_t~2-X_v~2=kt,并由离子迁移理论推导出氧化速率常数k.由于电场增强输运,等离子体阳极
【机 构】
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安徽大学物理学系,安徽大学物理学系合肥230039,合肥230039,合肥230039合肥16中学
【出 处】
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厦门大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1993年S2期
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