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为了进一步提升多级存储单元的纠错性能，提出了一种基于多级存储单元阈值电压分布的Polar码优化设计方法。针对多级存储单元的固有特性，该方法迭代计算各存储单元比特的巴氏参数值优化设计Polar码。分析了不同构造方法对多级存储单元闪存性能的影响，并与文中所构造的Polar码和系统Polar码在多级存储单元信道中的性能进行了比较。仿真结果表明：在多级存储单元信道中，当误码率为10^-5时，本文所构造的Polar码与高斯信道下经典巴氏参数法构造的Polar码相比可获得约2dB增益；当信噪比为21dB时，与蒙特卡罗