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讨论了引入Ⅲ-V族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层，用常压气相外延手段在蓝宝石/Ⅲ-V族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程，在C面（0001）蓝宝石上成功地生长出Sic薄膜，扫描电子显微镜显示薄膜表面连续，光滑，证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义，同时在表面发现直径为1-10μm的六角形缺陷，对缺陷面密度与工艺参数的关系进行了分析，并对缺陷产生的机理进行了探讨，认为反应产生物的腐蚀是产生六角形缺陷的来源。