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报道了在GaAs衬底上，采用δ掺杂GaAs／InGaAs双沟道结构，成功地研制出双沟道实空间转移晶体管（RSTT），它具有RSTT典型的“∧”型负阻，I-V特性和较宽的平坦谷值区。具体讨论了湿法腐蚀进行隔离台面，磁控溅射制作电极，快速热退火制作源漏低阻的欧姆接触等工艺步骤。器件的主要负阻参数PVCR可达10，对所研制的RSTT的负阻机制进行了初步探讨。