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采用磁控溅射方法制备Ni50.3，Mn27，Ga22.4磁性形状记忆合金薄膜。研究薄膜的晶体结构、磁化行为以及磁场对马氏体相变应变的影响。试验结果表明，经823K退火1h的Ni50.3，Mn27，Ga22．4薄膜，室温下处于奥氏体态，呈较强的（110）织构特性，且室温饱和磁化强度约为40emμ/g。试验还发现，当沿膜面方向施加0到0．8T磁场时，Ni50.3，Mn27，Ga22.4。薄膜的马氏体相变应变量随磁场强度的增大而增大，呈现出磁场增强马氏体相变应变效应。