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本文论述了相移掩膜（ＰＳＭ）提高光刻分辨率的基本原理、主要类型、无铬ＰＳＭ的制作方法，简述了曝光实验和实验结果。用ＮＡ＝０．２８的ｇ线光刻机得到了０．５μｍ的实际分辨率。
无铬相移掩模光刻技术
【摘 要】
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本文论述了相移掩膜（ＰＳＭ）提高光刻分辨率的基本原理、主要类型、无铬ＰＳＭ的制作方法，简述了曝光实验和实验结果。用ＮＡ＝０．２８的ｇ线光刻机得到了０．５μｍ的实际分辨率。
【机 构】
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中国科学院光电技术研究所开放室,中国科学院微电子中心
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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1996年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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