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讨论了大地干涉测距中应用半导体激光器的可能性。利用工作在室温下的脉冲半导体激光器进行了模拟实验。在逐步减小辐射源相干长度的情况下，通过确定干涉图样反差的最大值，使干涉仪的臂达到相等。证明了有可能使这种方法比目前所采用的显箸简化，而且使测距精度也显著提高。
用半导体激光器进行大地干涉测距
【摘 要】
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讨论了大地干涉测距中应用半导体激光器的可能性。利用工作在室温下的脉冲半导体激光器进行了模拟实验。在逐步减小辐射源相干长度的情况下，通过确定干涉图样反差的最大值，使干涉仪的臂达到相等。证明了有可能使这种方法比目前所采用的显箸简化，而且使测距精度也显著提高。
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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1980年17期
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