【摘 要】
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基于二维器件仿真软件Medici对 4H SiC双极型晶体管 (BJT)进行了建模 ,包括能带模型、能带窄变模型、迁移率模型、产生复合模型和不完全电离模型 ,为 4H SiC的工艺与器件提供
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所,西安电子科技大学微电子所,西安电子科技大学微电子所,西安电子科技大学微电子所 陕西西安710071,陕西西安710071,陕西西安710071,陕西西安710071
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基于二维器件仿真软件Medici对 4H SiC双极型晶体管 (BJT)进行了建模 ,包括能带模型、能带窄变模型、迁移率模型、产生复合模型和不完全电离模型 ,为 4H SiC的工艺与器件提供了设计平台 .在此基础上对 4H SiCBJT器件进行了模拟研究 .结果显示 ,器件基极电流IB=1μA/μm时发射极电流增益 β为 32 .4 ,击穿电压BVCEO大于 80 0V ,截止频率fT 接近 1GHZ
The 4H SiC bipolar transistor (BJT) was modeled based on the 2D device simulation software Medici, including the energy band model, the narrowband energy band model, the mobility model, the composite model and the incomplete ionization model for 4H SiC Technology and device are provided.Finally, 4H SiCBJT devices are simulated and the results show that the emitter current gain β is 32.4 when the base current IB = 1μA / μm and the breakdown voltage BVCEO is greater than 80 0V, the cut-off frequency fT close to 1GHZ
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