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全固态半导体开关，即反向开关晶体管（RSD）因其具有全面积、纳秒至微秒级导通等特有的性质。在脉冲功率领域有着良好的应用前景。研究了RSD脉冲功率系统主储能电容的恒流充电技术。利用交流小信号分析法对基于LCL谐振变换结构的充电电源工作原理进行了详细阐述，分析了恒流特性、恒压特性及开关管的软开关特性，利用OrcadPspice仿真软件进行了仿真验证。同时从功率损耗方面对开关管IGBT的缓冲吸收回路进行了优化设计。通过27,s将27μF电容器充电至1．1kV的实验证明了基于LCL拓扑的谐振变换充电电源具有恒流、