【摘 要】
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分析了国产运算放大器LM124的总剂量辐射效应统计规律.基于同一批次80个样本辐照前和100 Gy、200 Gy、500 Gy、1 000 Gy、1 500 Gy五个总剂量点辐照后的实验数据进行了分析,
【机 构】
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中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,成都610200;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621000;电子科技大学电子科学与工程学院,成都610000
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分析了国产运算放大器LM124的总剂量辐射效应统计规律.基于同一批次80个样本辐照前和100 Gy、200 Gy、500 Gy、1 000 Gy、1 500 Gy五个总剂量点辐照后的实验数据进行了分析,发现LM124的输入偏置电流退化呈对数正态分布特性,中位数随总剂量在3.6～7 nA范围内线性变化,总剂量增大,参数分散性增大.辐射损伤与初值存在线性正相关性,给出了参数的计算方法.100～1 500 Gy五个总剂量点线性系数α分别为0.24、0.31、0.5,0.77、1.07,α随总剂量的变化也呈线性.从物理上解释了初值依赖性的机理,即EB结上方氧化层质量决定了器件总剂量辐照响应的差异性(初值依赖性).该研究成果可以有效支撑基于LM124电路或者整机的辐射可靠性定量评估,对双极型器件的总剂量效应加固筛选具有参考价值.
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