【摘 要】
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以ZnO和Sb2O3为前驱物,在5GPa、1100～1450℃条件下,制备出电学性能稳定的掺Sb的p型ZnO（记作ZnO：Sb）。其中1450℃掺杂4.6%Sb时合成了性能最好的P型ZnO：Sb,电阻率为1.6×10^-2Ω
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以ZnO和Sb2O3为前驱物,在5GPa、1100～1450℃条件下,制备出电学性能稳定的掺Sb的p型ZnO（记作ZnO：Sb）。其中1450℃掺杂4.6%Sb时合成了性能最好的P型ZnO：Sb,电阻率为1.6×10^-2Ωcm,载流子浓度为3.3×10^20cm^-3,迁移率为12.1cm/V s。p型导电是由位于Zn位的Sb和两个Zn空位组成的复合受主引起的。测定了受主能级为113meV,讨论了压力对p型ZnO的形成和电性能的影响。此外,以高质量ZnO纳米线作为LED的发射层,通过
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