【摘 要】
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该发明专利是一种碳纳米管“或否”逻辑器件。该器件以Si作为衬底,在该衬底上设有SiO2氧化层,在绝缘层上设置碳纳米管、栅极和电极;所述栅极为两个独立的栅极,由位于Si衬底Si
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该发明专利是一种碳纳米管“或否”逻辑器件。该器件以Si作为衬底,在该衬底上设有SiO2氧化层,在绝缘层上设置碳纳米管、栅极和电极;所述栅极为两个独立的栅极,由位于Si衬底SiO2绝缘层中彼此相邻的两条沟槽之中
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