Mo／Si多层膜残余应力的研究

来源 :光学精密工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hz_0752

【摘要】

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在极紫外光刻技术中,光学系统对多层膜光学元件表面面形精度有严格的要求,并且多层膜光学元件需要较高的反射率.由于多层膜中存在的内应力将改变光学元件的表面面形,因此在不

【作者】

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向鹏金春水

【机构】

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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室

【出处】

：

光学精密工程

【发表日期】

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2003年1期

【关键词】

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极紫外光刻多层膜残余应力 EUVL multilayer-coatings residual stress.

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在极紫外光刻技术中,光学系统对多层膜光学元件表面面形精度有严格的要求,并且多层膜光学元件需要较高的反射率.由于多层膜中存在的内应力将改变光学元件的表面面形,因此在不减少反射率的前提下,一定要减少或补偿多层膜内的残余应力.论述了Mo/Si多层膜应力产生的原因和几种减少与补偿应力的技术,介绍应力的几种测量方法.

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