6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究

来源 :光子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：LAMYAN

【摘要】

：

采用非抛物性能带模型，对6H-SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究．研究表明：温度为296K时，电子横向漂移速度在电场为2．0×10^4V／cm处偏离线性

【作者】

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王平周津慧杨银堂屈汉章杨燕付俊兴

【机构】

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西安电子科技大学微电子所,西安邮电学院信息与控制系

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

6H-SIC 多粒子蒙特卡罗研究各向异性漂移速度平均能量电子碰撞电离率 H-SiCEnsemble Monte Carlo studyAnisotrop

【基金项目】

：

教育部重点资助项目 (0 2 0 74),,国防科技预研基金资助(批准号 :514 0 80 10 60 1DZ10 3 2 )项目

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采用非抛物性能带模型，对6H-SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究．研究表明：温度为296K时，电子横向漂移速度在电场为2．0×10^4V／cm处偏离线性区，5．0×10^5V／cm处达到饱和,由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为1．95×10^7cm／s，纵向为6．0×10^6cm／s，各向异性较为显著，当电场小于1．0×10^6V／cm时，碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小。另一方面，高场下

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