【摘 要】
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采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种基于亚阈值MOS管的超低功耗、低温度系数的全CMOS电压基准电路。电路可在0.6~5V的工作电压范围内工作,当工作电压为1V时,功耗为1.12nW
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采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种基于亚阈值MOS管的超低功耗、低温度系数的全CMOS电压基准电路。电路可在0.6~5V的工作电压范围内工作,当工作电压为1V时,功耗为1.12nW。在-20℃~80℃温度范围内,电路的最低温度系数为2.7×10-6/℃。在无片外滤波电容的情况下,电路的电源抑制比在100Hz和10MHz时分别为-56dB和-45dB。
A full CMOS voltage reference circuit based on sub-threshold MOS transistor with ultra-low power and low temperature coefficient is designed by SMIC 0.18μm CMOS process. Circuit can work in the 0.6 ~ 5V voltage range, when the operating voltage is 1V, the power consumption of 1.12nW. In the temperature range of -20 ℃ ~ 80 ℃, the lowest temperature coefficient of the circuit is 2.7 × 10-6 / ℃. In the absence of off-chip filter capacitors, the circuit’s power supply rejection ratio is -56dB and -45dB at 100Hz and 10MHz, respectively.
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