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芯片采用45nm叠层电容工艺技术,采用旋转分区的对称存储体（BANK）芯片架构。内嵌自检测修复（ECC）电路设计可以用来检测和纠正出错的数据以提高阵列保持时间。芯片采用高可靠高性能单元阵列设计、高速输入输出接口电路设计等技术,设计开发高可靠、低功耗的兼容国际JEDEC-DDR3标准的1G比特DRAM芯片。