论文部分内容阅读
研究了基于简单Fe/SiO2/p-Si结构的2个拼接Schottky二极管的巨磁阻效应。该巨磁阻效应只在光辐照非平衡条件下才显现，且磁阻率可达到100以上。该磁阻效应对经过器件的偏流大小与方向以及磁场极性具有高度依赖性。更重要的是巨磁阻效应只在当子系统中少量电荷载子转移至非平衡状态下时才显现。这种磁敏感装置可为半导体器件开辟一个新的发展方向提供参考。