【摘 要】
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本文叙述了一个静电堵漏会切型等离子体约束系统。基本设计参数为:电极所在之处磁场达10kG;堵漏电压为10kV;等离子体密度～10~(12)cm。;离子温度>O.5keV;约束时问>5ms。 该装置
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本文叙述了一个静电堵漏会切型等离子体约束系统。基本设计参数为:电极所在之处磁场达10kG;堵漏电压为10kV;等离子体密度～10~(12)cm。;离子温度>O.5keV;约束时问>5ms。 该装置可用作为等离子体积累与加热、电势屏蔽、静电堵漏轴对称串级镜端塞的研究。
This article describes an electrostatic plugging-and-meeting plasma confinement system. The basic design parameters are: the electrode where the magnetic field of 10kG; plugging voltage of 10kV; plasma density ~ 10 ~ (12) cm. ; Ion temperature> O.5keV; constraint asked> 5ms. The device can be used as a plasma accumulation and heating, potential shielding, electrostatic plugging axisymmetric cascade mirror end plug research.
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