【摘 要】
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据国外媒体报道,一家中国台湾研究机构称,它将在3年内推出相变内存(PRAM),另一种与DRAM内存竞争的MRAM技术(磁性随机储存)也将在2008年底进入实用阶段。
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据国外媒体报道,一家中国台湾研究机构称,它将在3年内推出相变内存(PRAM),另一种与DRAM内存竞争的MRAM技术(磁性随机储存)也将在2008年底进入实用阶段。
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