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为了解决传统上电复位电路二次上电时易失效的问题，提出以比较器结构为基础，由带隙基准、电阻网络和逻辑电路等组成的高可靠性的上电复位解决方案。并增加复位延时电路，进一步提高复位可靠性。使用0．6μm双层多晶硅N阱CMOS工艺模型，利用HSpice对其功能仿真，结果表明该电路3．3V工作电压下的阈值电压为3．08V，复位延时时间为100ms，能稳定可靠地提供复位信号，可适用于电脑、微控制器以及便携式电子产品的电源监控。