Ge2Sb2Te5的电化学特性及化学机械抛光

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：casterisme

【摘要】

：

从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电

【作者】

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刘奇斌张楷亮王良咏宋志棠封松林

【机构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院研究生院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

：

Ge2Sb2Te5 相变存储器化学机械抛光电化学

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302700),中国科学院(批准号:Y2005027),上海-应用材料科技合作共同计划(批准号:AM基金0414),中国博士后科学基金(批准号:2005037522),上海市科委项目(批准号:0552nm043,05JC14076,05R214156,AM0517,06QA14060,06XD14025,0652nm003,06DZ220217)和美国

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从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描.开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛光液中表现出钝化行为;而抛光液的pH值为11时,开始向活化转变;当pH值为12时,薄膜处于活化状态.在动电位扫描过程中,不同的pH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状相似,表明薄膜腐蚀具有相同的反应机理.自制碱性抛光液,对Ge2Sb2T

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