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介绍了金硅面垒8Be探测器的制造工艺和测试结果.有效面积157～570mm2,厚度为280μm,工作电压100～150V时,其漏电流0.04～0.12μA.对于8.78MeV α粒子的能量分辨率为0.54%～0.80%,用该探测器通过对8Be带电粒子的角关联测量确定高激发能级的宇称及自旋.
金硅面垒^8Be探测器的研制
【摘 要】
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介绍了金硅面垒8Be探测器的制造工艺和测试结果.有效面积157～570mm2,厚度为280μm,工作电压100～150V时,其漏电流0.04～0.12μA.对于8.78MeV α粒子的能量分辨率为0.54%～0.80%,用该
【机 构】
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中国科学院近代物理研究所
【出 处】
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核电子学与探测技术
【发表日期】
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2004年6期
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