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InSb材料在Cd扩散后于表面产生了密度较高的小浅坑，对小坑的成分进行了分析，，并根据结果对小坑的成因作了初步的推断。实现发现坑中Cd浓度约44%。
Cd扩散对InSb晶体质量的影响
【摘 要】
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InSb材料在Cd扩散后于表面产生了密度较高的小浅坑，对小坑的成分进行了分析，，并根据结果对小坑的成因作了初步的推断。实现发现坑中Cd浓度约44%。
【机 构】
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清华大学材料系,华北光电研究所
【出 处】
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激光与红外
【发表日期】
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2002年2期
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