【摘 要】
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采用射频等离子体化学气相沉积(PECVD)法制备了SiNx薄膜.用X-射线荧光光谱、红外吸收光谱、红外反射光谱以及扫描电镜对薄膜的成分、结构、表面形貌和光学性质进行了初步研究
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采用射频等离子体化学气相沉积(PECVD)法制备了SiNx薄膜.用X-射线荧光光谱、红外吸收光谱、红外反射光谱以及扫描电镜对薄膜的成分、结构、表面形貌和光学性质进行了初步研究.X-射线荧光分析表明SiNx薄膜的组成为SiN0.35.从红外透过光谱可见,氮参加了反应并生成Si-N键,薄膜中有少量的Si-H键和N-H键.红外反射光谱表明SiN0.35薄膜是非常好的窗口材料,在8~13 μm波段内具有很低的反射率,8~13μm波段外反射率高,适合制备辐射制冷体.SEM观察结果对薄膜的表面形态和生长机量给予了初步
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