论文部分内容阅读
采用射频磁控溅射技术用单晶SK（111）和载玻片制备了SiO2薄膜。对薄膜进行了不同温度的退火处理。利用X射线衍射仪，紫外一可见分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪等测试不同退火温度下SiO2薄膜的微结构、透反射曲线和红外吸收谱。研究表明：退火后SiO2薄膜仍为四方结构，薄膜的平均晶粒尺寸随退火温度的升高逐渐增大，晶格常数与标准值相比均稍小。退火温度对薄膜平均反射率影响不明显；薄膜平均透射率随退火温度的升高先增大后减小。