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高容量硅电极在脱/嵌锂过程中所发生的大体积变形、断裂行为会引起严重的力学衰减,并导致电极的电化学性能退化.这严重制约着硅电极材料在商业锂离子电池中的应用.目前,硅电极断裂行为的一些细节还未被彻底研究清楚.为了进一步研究微米硅电极的断裂行为,本文利用光学显微镜观测了单晶硅电极的形貌演化,分析了不同电流密度下硅电极的断裂行为,并重点研究了在不同电流密度下裂纹形成时硅电极的相对嵌锂深度.结果表明,电流密度越大,硅电极断裂越严重.但是在三种不同电流密度下,裂纹形成时硅电极相对嵌锂深度差异不大(18%—22%).这