【摘 要】
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采用扩散电流控制法,通过限制低氧化电位单体的浓度,从而限制它在高电位下的氧化电流,以达到减少它在聚合物中的相对含量的目的,成功地实现了噻吩(Th)和3-甲基噻吩(MTh)的电
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采用扩散电流控制法,通过限制低氧化电位单体的浓度,从而限制它在高电位下的氧化电流,以达到减少它在聚合物中的相对含量的目的,成功地实现了噻吩(Th)和3-甲基噻吩(MTh)的电化学共聚.红外光谱及循环伏安测定分别表明,电化学共聚噻吩和3-甲基噻吩所制得的导电膜不是均聚物的共混物,共聚的方式也不是嵌段共聚,而更可能是无规共聚.此外,制备了噻吩/3-甲基噻吩导电复合膜,其吸波频率较单一导电聚合物有明显拓宽,在400cm-1～7000cm-1范围内有强的宽吸收.实验结果表明,复合膜的结构、层数、厚度以及层间微结构
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