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用混合物理化学气相沉积（Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD）法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品。超导起始转变温度Tc（onset）=39．5K，SEM（Scanning Electron Microscopy）图显示晶型结构为六方形，晶粒生长较为致密。样品的X射线衍射分析表明，MgB2薄膜是多晶的，没有择优方向。晶粒大小约为400nm～1μm。结果表明HPCVD技术在Mg表面直接沉积MgB2薄膜是可行的，对Mg原料的节约和MgB2线