【摘 要】
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制备了以结构ITO/PCBM∶PVK（xWt%,-40 nm）/DPVBi（30 nm）/Alq3（30 nm）/Al为基础的一系列有机发光二极管,利用电致发光光谱分析了DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区的移动。
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制备了以结构ITO/PCBM∶PVK（xWt%,-40 nm）/DPVBi（30 nm）/Alq3（30 nm）/Al为基础的一系列有机发光二极管,利用电致发光光谱分析了DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区的移动。通过氟化锂的阴极修饰,改变了器件的载流子注入情况;通过PCBM的浓度变化,改变了载流子的输运情况,讨论了这些因素对载流子复合区形成的影响。同时通过改变对器件所加的电压,讨论了电压对载流子复合区形成的影响,并分析了其影响的本质。
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