【摘 要】
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基于磁控溅射法制备用于OLED器件阳极的TiNx薄膜电极。研究了N2流量和溅射功率对TiNx薄膜电阻率和反射率的影响。采用四探针、光学光度计、SEM等测试手段对TiNx薄膜进行了表征。结果表明, TiNx薄膜电阻率为35.6μΩ·cm时性能最佳, 制作的OLED器件在5 V电压下亮度可到22 757 cd/m2。
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京210016国家平板显示工程技术研究中心,南京210016西安北方光电股份有限公司,西安710043
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基于磁控溅射法制备用于OLED器件阳极的TiNx薄膜电极。研究了N2流量和溅射功率对TiNx薄膜电阻率和反射率的影响。采用四探针、光学光度计、SEM等测试手段对TiNx薄膜进行了表征。结果表明, TiNx薄膜电阻率为35.6μΩ·cm时性能最佳, 制作的OLED器件在5 V电压下亮度可到22 757 cd/m2。
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