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传统有机材料的场效应晶体管（FETs）具有工作速度低、驱动电压高的缺陷,针对这个问题,垂直结构的酞菁铜（CuPc）有机薄膜晶体管（VOTFTs）被制备,整个制备过程采用真空蒸镀和直流磁控溅射镀膜工艺.器件的层叠结构为Au/CuPc/Al（半导电）/CuPc/Au.其中半导电Al栅极薄膜的制备是十分重要的.VOTFT通过栅-源极偏压改变肖特基势垒高度来调制沟道电流.在室温下对其进行基本的电气测量.实验结果表明器件的静态输出特性具有不饱和性.漏-源极偏压VDS保持在2V时,在栅-源极上施加频率为100 Hz的