【摘 要】
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以正硅酸乙酯为硅源，聚乙烯吡咯烷酮为助纺剂，采用静电纺丝结合碳热还原制备出结晶程度较高的β-SiC纤维，其比表面积为92.6 m2/g，表现出双电层电容储能特征，比电容为155.7 F/g。然
【机 构】
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华北理工大学材料科学与工程学院; 河北省无机非金属材料重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金(51472072);华北理工大学杰出青年基金(JQ201712)
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以正硅酸乙酯为硅源，聚乙烯吡咯烷酮为助纺剂，采用静电纺丝结合碳热还原制备出结晶程度较高的β-SiC纤维，其比表面积为92.6 m2/g，表现出双电层电容储能特征，比电容为155.7 F/g。然后，利用水热法在SiC纤维表面生长出大量直径约为15 nm的NiCo2O4纳米线，得到NiCo2O4纳米线/SiC复合纤维。测试表明复合纤维中镍和钴元素分别以Ni2+/Ni3+和Co2+/Co3+价态形式存在，因NiCo2O4纳米线与SiC纤维的协同作用复合纤维比电容显著提高，并表现出双电层与赝电容并存特征，比电容可达300.3 F/g，当功率密度为58.1 W/kg时，能量密度为60.1 W·h/kg。
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