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采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）法制备微孔SiO2薄膜并将其作为栅介质，制作了基于微孔SiO2栅介质层的透明氧化物薄膜晶体管。利用场发射扫描电镜、阻抗分析仪以及半导体分析仪对样品进行表征。结果表明，微孔SiO2栅介质具有双电层效应，这种微孔SiO2栅介质透明氧化物薄膜晶体管器件具有工作电压低，开关电流比大，透光性高，稳定性强等良好性能。