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西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制,创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管。由于大尺寸的氮化物衬底成本高昂,氮化物薄膜通常是基于蓝宝石、硅等异质材料衬底进行外延生长的。而晶体衬底与氮化物之间存在严重的晶格失配,使得外延GaN薄膜内具有很大的应力,并产生众多的穿透位错,从而导致LED器件发光效率降低。