掺碳锗硅合金的制备及其性能研究进展

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：veiri32

【摘要】

：

近几年来ＳｉＧｅＣ三元合金受到人们的广泛关注，日益成为研究的热点之一。碳的加入为Ｓｉ－Ｇｅ系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。处于替代位置的碳能缓解ＳｉＧｅ合金的应变，并调节

【作者】

：

亓震叶志镇黄靖云卢焕明赵炳辉

【机构】

：

浙江大学硅材料国家重点实验室!杭州310027

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

1999年3期

【关键词】

：

半导体材料 SiGeC合金能带结构应变弛豫价带补偿荧光光谱 semiconductor material SiGeC alloys band struc

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

近几年来ＳｉＧｅＣ三元合金受到人们的广泛关注，日益成为研究的热点之一。碳的加入为Ｓｉ－Ｇｅ系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。处于替代位置的碳能缓解ＳｉＧｅ合金的应变，并调节其能带。总结了碳的加入对锗硅材料中应变的缓解及碳对合金能带结构的影响，尤其是对弛豫状态下的锗硅材料及锗硅碳材料的调节作用，并对其机理做了分析

其他文献

原发阑尾周围脓肿超声临床分型与手术可行性研究

目的探讨原发阑尾周围脓肿超声临床分型对手术可行性的指导价值。方法回顾分析收治的103例原发阑尾周围脓肿急诊手术病例,将超声临床分型与其手术方式、疗效进行归纳总结。结

期刊

阑尾周围脓肿超声阑尾切除术临床分型Periappendiceal abscessUltrasonographyAppendicectomyClinica

埋沟CCD器件电荷处理容量的二维数值模拟

借助于二维器件模拟软件ＰＩＳＣＥＳ－ⅡＢ，通过在某相ＣＣＤ电极下的耗尽区注入数量可控的电子电荷，对埋沟ＣＣＤ器件电荷容量进行了定量分析。采用此方法对一种沟道宽度为７μｍ的ＣＣＤ信道电荷容量进行了瞬态模拟

期刊

电荷耦合器件电荷容量二维数值模拟CCD charge capacity 2-D numerical simulator

探索非理性管理新模式实现学校特色创建新突破

在学校的管理实践中．作为校长经常会遇到这样的困惑：学校制订了完善、严密的规章制度，强化了对教师的跟踪监管与定量、定性评价，突出了常规工作的“计划性”、“统一性”、“服从

期刊