经历挫折暗下决心，设计出高水平的中国芯片

　　黄令仪，中科院院士，1936年出生于广西南宁。她在抗战中长大，随新中国一起成长，1958年华中工业大学毕业后，进入清华大学半导体专业深造，因为表现出色，于1962年加入中科院。自此，黃令仪与微电子结下了不解之缘。
　　1977年，中科院计算所引入了一个“电路预研”项目，黄令仪被点名负责集成电路、器件工艺和芯片研制这几方面的工作。集成电路是芯片的基础，芯片运行的快慢、功耗大小，全靠集成电路设计。为了让自己设计的芯片能投产，黄令仪在对比不同电路的特性方面下了大功夫：ECL运行速度快，但功耗太大，不要;CMOS成品率低，不要;I2L速度太慢，也不行！市面上主流的集成电路都不行，怎么办？
　　黄令仪思前想后，用了一个“笨办法”：把决定集成电路功耗、速度的关键环节一个一个拆解开，逐个突破。
　　当时，她和研究小组成员整天泡在办公室，一人拿着几个版图来回对比，直到把主流集成电路的器件原理、工艺原理完全摸透了，才研究出一种新型的“I2L结构”，用这种结构做出的一款256ROM内存芯片，获得了1980年院科技成果奖二等奖。
　　1984年正当晶体管研发已有很大进展的时候，科技处领导叫停了科研，黄令仪听到后先是大吃一惊，随后斩钉截铁地说：“计算所若不研究芯片，今后做计算机设计的人只知道用芯片，芯片怎么制作完全不懂，怎么能设计出一台好的计算机呢？”但是当时的领导全然听不进黄令仪的建议，只是淡淡地告诉她：“所里经费太紧张了，拿不出钱来支持大规模集成电路的研究。”
　　这对黄令仪来说打击太大了，“项目取消”不但意味着之前的努力全部白费，还意味着我国在芯片技术上肯定要落后于世界。走出办公大楼，黄令仪忍不住失声痛哭，和同事们呕心沥血十几年创建的研究室和正在进行的研究就这样被一句话结束了。在万般无奈中黄令仪到微电子中心报到了，此时已是1986年年底，已经50岁的黄令仪开始了CAD的研究。
　　1989年11月黄令仪在加州拉斯维加斯参加了一个国际芯片的展览会，她在那里参观了一周。然而，令黄令仪失望的是，她在成千上万的摊位前驻足观看了很久，却找不到一个中国摊位。好不容易在拥挤的人群中，看到了几个国人手中拿着长城公司的塑料袋，黄令仪立马迎上去询问：“你们是来参展的吧？” “不，我们是来参观的。”黄令仪心中猛然一震：1963年我国集成电路的研究水平与国外是相当的啊！怎么十几年下来，反而无立足之地了？为什么现在的差距如此之大？黄令仪觉得这是莫大的耻辱，因此暗下决心：一定要设计出一块高水平的芯片，让中国重新站起来！