【摘 要】
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自低温AlN、GaN形核技术和高温热退火技术实现了外延高质量GaN薄膜和激活p型GaN受主以来,GaN基光电器件得到了迅猛发展。但是,GaN基光电器件依然存在诸多基础性问题,特别是基
【机 构】
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陕西科技大学前沿科学与技术转移研究院材料原子·,分子科学研究所,太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室
【基金项目】
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国家重点研发计划项目(2016YFB0401803);山西省重点研发计划项目(201703D111026)
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自低温AlN、GaN形核技术和高温热退火技术实现了外延高质量GaN薄膜和激活p型GaN受主以来,GaN基光电器件得到了迅猛发展。但是,GaN基光电器件依然存在诸多基础性问题,特别是基于异质衬底外延的GaN基LED外延层中的位错密度高达10^(8) cm^(-2),内量子效率却超过50%。V形坑是GaN基LED外延层中一种常见的倒金字塔缺陷,6个侧面与c面的夹角均为62°。基于V形坑缺陷对LED光电性能影响的研究成果,介绍了V形坑中侧壁量子阱屏蔽位错理论:侧壁量子阱的In含量较低,其势垒高度大于c
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