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结合理论和数值计算分析了稀薄效应对磁头／磁盘系统纳米间隙润滑的影响。从膜厚的角度来看，低于气体分子平均自由程的比例并不大。而从膜厚和压力2方面来看，处于稀薄效应区域的比例将大大增加。实际的磁头／磁盘系统中，磁头的大部分仍工作在稀薄气体的滑流区域，离稀薄气体的过渡区还较远。考虑稀薄效应后，磁头／磁盘系统的重要工作性能参数，都有减小的趋势。