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把锑化铟-铟共晶体薄膜磁阻元件置于偏磁系统中,用红光脉冲照射,可以使它的输出信号增强.把灵敏度为K1=3.5,K2=1.02(B=0.3 T)的两个磁阻元件,置于B=0.2 T偏磁系统中,用峰值波长λp=660nm的红光照射,发现输出电压Vout比没有偏磁场存在时增大3 1倍.
扩展到可见光波段的磁阻效应增强型光电传感器
【摘 要】
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把锑化铟-铟共晶体薄膜磁阻元件置于偏磁系统中,用红光脉冲照射,可以使它的输出信号增强.把灵敏度为K1=3.5,K2=1.02(B=0.3 T)的两个磁阻元件,置于B=0.2 T偏磁系统中,用峰值波
【机 构】
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华南师范大学华南量子电子学研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2001年9期
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