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在DRM／DAB系统设计中，压控振荡器需要满足宽的调频范围，而其压控增益的差别需要控制在一定的范围内，以使得锁相环的稳定性得到提高，同时为了降低锁相环环路对噪声的敏感性，我们需要低的压控增益。据此，本文所采用的可变电容阵列结构有效地满足了上述要求，使用SMIC0．18μmCMOS工艺，仿真得到的结果显示在1．71G振荡频率1MHZ频偏处的相位噪声为-124．3dBc／Hz．压控范围为1．71-2．31GHz。