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采用转移矩阵方法，研究了含三元合金缺陷层（AlxGa1-xAs）有限超晶格（GaAs／AlAs）中的界面声子-极化激元模性质．结果表明，这种有限超晶格中的声子-极化激元模在剩余射线区[ωTD，ωLO]的分布依赖于缺陷层含Al的浓度X，部分类GaAs（AlAs）声子-极化激元模随着浓度X的增加向低（高）频区移动．此外，而且还可以清晰地看到它们在局域模、表面模和扩展模之间的演变．还发现声子-极化激元模的分布随着组份层和缺陷层厚度的改变，其局域位置和特性发生显著变化．