【摘 要】
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采用直流磁控反应溅射法，在Si(100)和Pt／Ti／Si(100)上制备了AIN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析，研究了不同工艺
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采用直流磁控反应溅射法，在Si(100)和Pt／Ti／Si(100)上制备了AIN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析，研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响，分析了AIN晶粒生长的有关机理。制备出的AIN薄膜显示出较好的(002)面择优取向性，半高宽(FWHM)为0．35°～0．40°，折射率约为2．07。
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